《半導體》M31發表臺積電N12e製程平臺低功耗矽智財解決方案

《半導體》M31發表臺積電N12e製程平臺低功耗矽智財解決方案

M31認爲,現今人工智慧物聯網(AIoT)已經在技術和應用領域顯示出巨大的商業潛力,AIoT的應用範圍從手機和平板電腦持續擴展到家電、工廠、醫療保健裝置以及自動駕駛汽車等領域,隨着先進製程技術的不斷進步,5G通信和高速運算等領域更成爲發展的關鍵方向。身爲臺積電長期緊密合作夥伴,M31幾乎年年獲頒特殊製程IP合作伙伴獎,肯定M31在IP開發與服務上的傑出表現。在人工智慧化的物聯網裝置及其他高效率、高效能的邊緣裝置應用發展浪潮下,M31也緊跟臺積電N12e製程技術平臺發展腳步,針對AIoT市場對於速度、功耗、成本面積不同的設計需求,開發一系列低功耗IP解決方案,可支援更高效能、更佳功率與更低漏電的要求,其中包括低功耗記憶體、標準元件庫、通用IO元件庫。

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有鑑於產業趨勢,M31推出兩種不同特性的低功耗記憶體,分別是低電壓設計的Low VDD記憶體和低漏電ULL記憶體。Low VDD記憶體支援0.6V的低電壓,提供四種低功耗模式和頻率調節技術(DVFS),並透過M31讀寫輔助技術可確保在低電壓操作時的穩定性。而M31低漏電ULL記憶體則使用臺積電ULL bit-cell技術,可大幅提升靜態低功耗的表現,達到節能設計的目標。此外,客戶還能採用M31具競爭力的低功耗標準元件庫,並搭配電源管理和低功耗優化套件,有助於客戶縮短開發週期,提高模組精準度,特別適用於各種AIoT設計。

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